Fälteffekttransistor
![]() | Den här artikeln behöver källhänvisningar för att kunna verifieras. (2019-11) Åtgärda genom att lägga till pålitliga källor (gärna som fotnoter). Uppgifter utan källhänvisning kan ifrågasättas och tas bort utan att det behöver diskuteras på diskussionssidan. |
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/7/7c/Scheme_of_n-junction_field-effect_transistor_de.svg/250px-Scheme_of_n-junction_field-effect_transistor_de.svg.png)
Fälteffekttransistor, FET, är en speciell typ av transistor.
I en fälteffekttransistor styr man mängden elektrisk ström som passerar mellan elektroderna drain och source genom att lägga en elektrisk spänning på den isolerade styret, så kallad styrspänning, och därigenom skapa ett elektriskt fält. Det elektriska fältet styr i sin tur bredden på den kanal i vilken elektronerna (eller hålen) kommer att färdas.
FET finns av flera typer. Vanligast är MOSFET av kisel (Si). Vid högre frekvenser och effekter används MESFET (metal-semiconductor FET). En annan FET är JFET (junction FET). FET har hög ingångsimpedans, speciellt i JFET.
Se även
- Signalförstärkning
- Transistor
- Bipolär transistor
- MOSFET
- CMOS
Externa länkar
Wikimedia Commons har media som rör Fälteffekttransistor.